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半導體乾蝕刻技術
《半導體乾蝕刻技術》 半導體乾蝕刻技術
日本生產工程權威獎項得主力作，圖解與表格詳實，帶領工程師掌握半導體乾蝕刻技術的全貌，提升現場即戰力。
◎作者於1989年，以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。1994年，以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
◎圖解乾蝕刻技術的原理與實務，讓你一讀即懂。
◎由製程直到設備、新技術，更進一步設置有關電漿損傷的章節，以便理解全貌並了解乾蝕刻今後的課題與展望。
針對半導體乾蝕刻技術涉及的電漿物理、化學、材料、電磁等複雜現象，循序解析，詳解各環節的連帶影響，提升現場即時應變的作戰能力，為優秀工程師養成必備的工具書！
非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？
本書告訴你這些連現場資深乾蝕刻工程師都不見得充分理解的知識。
從乾蝕刻技術的基礎講到應用，讓初學者容易理解與整理；對於已有程度、經驗的工程師而言，讀之更加能理解、掌握乾蝕刻技術的全貌。
《半導體乾蝕刻技術》精彩內容請看：www.pressstore.com.tw/freereading/9789863581291.pdf
作者介紹
野尻一男（Nojiri Kazuo）
■1973年群馬大學工學部電子工學科畢業。
■1975年群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。
■1975年進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導，歷任許多經理職務。
■2000年進入Lam Research公司擔任董事?CTO至今。
主要受獎
■1989年以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。
■1994年以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
主要著作
《先端電氣化學》（丸善）共著
《半導體???????????????????》(?????社）共著
譯者介紹
倪志榮（Ni, Chih-Jung)
■1988年國立清華大學畢業
■1991年中日交流協會留日獎學生
■1993年日本東京大學工學院碩士
■2014年中部科學園區模範勞工
■曾任地球村美日語中心日語講師
現職華邦電子公司模組技術發展部經理，從事DRAM與Flash的製程研發。
半導體乾蝕刻技術－目錄導覽說明
序言
譯者序
第１章半導體積體電路的發展與乾蝕刻技術
1.1 乾蝕刻的概要
1.2 關於乾蝕刻的評鑑參數
1.3 在大型積體電路上乾蝕刻技術所扮演的角色
參考文獻
第２章乾蝕刻的機制
2.1 電漿的基礎
1 電漿是什麼
2 電漿的各物理量
3 電漿中的碰撞反應過程
2.2 離子鞘以及離子鞘內的離子行為
1 離子鞘與Vdc
2 離子鞘內的離子散射
2.3 蝕刻製程的建構方法
1 乾蝕刻的反應過程
2 非等向性蝕刻的機制
3 側壁保護過程
4 蝕刻率
5 選擇比
6 總結
參考文獻
第３章各種材料的蝕刻
3.1 閘極蝕刻
1 Poly-Si閘極蝕刻
2 晶圓面內CD均勻度的控制
3 WSi2／Poly-Si閘極蝕刻
4 W／WN／Poly-Si閘極蝕刻
5 Si基板的蝕刻
3.2 SiO2蝕刻
1 SiO2蝕刻的機制
2 SiO2蝕刻的關鍵參數
3 孔洞系列的蝕刻
4 SAC蝕刻
5 Spacer蝕刻
3.3 連線蝕刻
1 Al連線蝕刻
2 Al連線的防腐蝕處理技術
3 其它連線材料的蝕刻
3.4 總結
參考文獻
第４章乾蝕刻設備
4.1 乾蝕刻設備的歷史
4.2 圓筒型電漿蝕刻機
4.3 CCP電漿蝕刻機
4.4 磁電管RIE
4.5 ECR電漿蝕刻機
4.6 ICP電漿蝕刻機
4.7 乾蝕刻設備的實例
4.8 靜電吸盤
1 靜電吸盤的種類以及吸附原理
2 晶圓溫度控制的原理
參考文獻
第５章乾蝕刻損傷
5.1 導入Si表層的損傷
5.2 充電損傷
1 充電損傷的評鑑方法
2 充電的發生機制
3 各種蝕刻設備的充電評鑑與減低方法
4 起因於圖形的閘極氧化層破壞
參考文獻
第６章新蝕刻技術
6.1 Cu 鑲嵌蝕刻
6.2 Low-k蝕刻
6.3 使用多孔型Low-k的鑲嵌連線
6.4 金屬閘極／High-k蝕刻
6.5 FinFET蝕刻
6.6 雙重圖形定義
6.7 用於3D IC的蝕刻技術
參考文獻
第７章乾蝕刻技術今後的課題與展望
7.1 關於乾蝕刻的技術革新
7.2 今後的課題與展望
7.3 作為工程師的心理準備
參考文獻
【作者序】
乾蝕刻技術作為半導體元件的微縮、高積體化的手段，與微影技術構成雙璧的關鍵技術，所參與的工程師人數也幾乎與微影相同的多。微影技術由於解析度取決於光波長和NA（透鏡的數值孔徑），比較容易理解。相對而言，乾蝕刻技術在反應室引起的現象複雜而不容易理解。此外，由於蝕刻是利用電漿的物理、化學反應進行，需要電力、物理、化學的綜合知識。演變的結果，實際上從事乾蝕刻的工程師在許多場合，仰賴著經驗和直覺做事。非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？關於這樣的事，很多初學者在不具備充分的理解及知識的情況下，突然就被送進了現場。而且，即使是乾蝕刻的資深工程師，也有並不充分理解這些事的例子。
乾蝕刻雖然往往處於隱藏在微影背後的地位，但卻是如同開頭所述與微影技術構成雙璧的關鍵技術。換言之，（l）Si、SiO2、金屬等，每種材料有特定的設備與製程技術；（2）Cu鑲嵌連線加工、新材料加工等，新的領域連續不斷的誕生；（3）使用帶電粒子的緣故所產生的電漿損傷，是降低元件良率的元凶，機制的闡明與對策是必要的；（4）當今熱門話題的雙重圖形定義，乾蝕刻比微影更為重要，左右尺寸大小的精度與偏差。因應如此各式各樣的材料，並且愈來愈高度化的加工技術，讓今後想要從事的工程師，應當對乾蝕刻技術具有充分的理解加以面對，並且需求針對初學者的教科書。
本書採用與以往書籍相異的獨特方法，將乾蝕刻技術由基礎到應用，讓初學者能夠理解的加以歸納整理。以往的乾蝕刻書籍，大多動輒偏重於艱深的電漿理論，或是反而從頭到尾羅列乾蝕刻技術的數據。本書的執筆則是盡量不使用數學式，讓初學者也能容易的理解乾蝕刻的機制。此外，由製程直到設備、新技術，考量能系統的理解。更進一步，設置電漿損傷的章節，以便能夠理解全貌，也是特徵之一。
本書不僅讓初學者能容易的理解乾蝕刻技術的原理，也能獲得更切實際的知識。此外，雖然以初學者為對象撰寫，但是對於已經累積某種程度經驗的工程師，在能夠理解乾蝕刻技術的全貌上，期望也能有所助益。本書若能對從事乾蝕刻相關工作的工程師，在工作的執行上給予方針，至感甚幸。
野尻一男
【譯者序】
譯者就職華邦電子前，曾任職於峰安金屬、林陽實業以及遠東紡織化纖總廠。當有機會聊到自己過去的職涯時，偶而會調侃自己待過金屬、玻璃、紡織、電子等四大產業，剩下養豬業還沒去過（莞爾）。根據個人親身經歷，在電子產業中，光是晶圓廠的半導體前段製程就遠比上述其他三種產業複雜，而且技術的躍進更是日新月異。如果不求進步或轉型，恐怕只有等著關廠、解散一途。
回顧1996年譯者初進半導體業，當時DRAM的量產是以0.45微米技術生產16MB記憶容量的晶片，而如今泛用型DRAM已經使用25奈米的技術量產2GB以上記憶容量的晶片，18年來推進了12個世代。
除了DRAM之外，其它諸如NOR與NAND等大宗的記憶體，以及台灣傲視全球的晶圓代工產業的主力──邏輯IC，也是不遑多讓的朝向微縮、積體化邁進。如同本書所述，其中尤以微影和乾蝕刻為關鍵技術，而乾蝕刻由於牽涉到電漿物理、化學、材料、電磁等複雜的現象，優秀工程師的養成更屬不易。
本書作者具有豐富的業界經驗，深知工程師在專業知識上的需求為何。原書的英文譯本《Dry Etching Technology for Semiconductors》也於2014年10月出版。希望本中文譯本能在半導體乾蝕刻工程師的基礎教育上，略盡棉薄之力。
倪志榮
謹誌於華邦電子中科廠區
編／譯者：倪志榮
語言：中文繁體
規格：平裝
分級：普級
開數：16開19*26cm
頁數：176
出版地：台灣
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